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MRF7S19210HR3 MRF7S19210HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, 1930--1990 MHz Bandwidth
IMD Symmetry @ 160 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
15
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
50
?
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
=63WAvg.
GF
?
0.9
?
dB
Average Deviation from Linear Phase in 60 MHz Bandwidth
@Pout
= 190 W CW
Φ
?
0.95
?
°
Average Group Delay @ Pout
= 190 W CW, f = 1960 MHz
Delay
?
2.82
?
ns
Part--to--Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 190 W CW,
f = 1960 MHz, Six Sigma Window
?Φ
?
28.9
?
°
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.019
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.008
?
dB/°C
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